商品特色
創見 Transcend 4GB DDR3L 1.35V 低電壓 1600 記憶體
DDR3為新一代記憶體規格,相較於DDR2之4位元預取緩衝架構,DDR3的8位元預取緩衝架構可提供更快的傳輸速率及更大的傳輸頻寬;搭配雙核心或四核心的處理器,能大幅提昇電腦系統的整體效能。此外,DDR3L記憶體模組的工作電壓為1.35伏特,相對於需要1.8伏特電壓的DDR2模組而言,能有效減低30%至40%的耗電量,並確保高速運算時的系統穩定度及效能。
創見DDR3筆記型電腦專用之盒裝記憶體模組採新式Fly-by電路架構設計,可使DRAM與控制器(Controller)間的訊號傳輸更有效率;支援ODT(On-DIMM Termination)技術,可降低高速運作時記憶體訊號的回授,提高記憶體時脈的極限值。此外,其在佈線路徑、走線長度及電氣特性方面,均完全符合JEDEC(the Joint Electron Device Engineering Council)的嚴格規範,可適用於嚴苛的工作環境,並避免雜訊干擾;絕佳的電氣特性及散熱性,大幅提昇系統的整體效能。
創見記憶體模組堅持採用高品質的原廠記憶體顆粒,每一顆粒皆經過嚴格篩選並通過100%嚴密的測試,以確保系統運作的效能與穩定性。
產品特色
★使用原廠記憶體顆粒
★ 封裝提供更佳的散熱性能
★高度相容性保證
★內建8位元預取緩衝器(Prefetch Buffer)
★記憶體產品穩定耐用
★100%嚴密測試
★終身保固
★符合RoHS的規範
:::商品規格說明
品牌 Transcend創見
記憶體組模 SO-DIMM
記憶體類型 DDR3L
單條容量 4G
入數 1
型號 TS512MSK64W6H
工作頻率(MHz) 1600
電壓(V) 1.35V
CL值 11
保固 終身保固
說明 Unbuffer Non-ECC Memory
JULE 3C會社-正 創見 DDR3L 1600 4G TS512MSK64W6H/低電壓/1.35V/筆記型 記憶體
正創見終身保固
DDR3L 1600 4GB低電壓版本
雙面共八顆粒
筆記型電腦記憶體規格
下標即結標
新竹竹科地區可面交~
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